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總結(jié)-中國可靠性環(huán)境試驗（測試）國家標準大綱
通常環(huán)境可靠性試驗分為以下三類：力學環(huán)境試驗、氣候環(huán)境試驗和綜合環(huán)境試驗。力學環(huán)境試驗主要包括機械振動、機械沖擊、跌落、碰撞、穩(wěn)態(tài)加速度試驗等，氣候環(huán)境試驗主要包括溫度試驗、溫濕度試驗、氣壓試驗、水試驗、鹽霧試驗、砂塵試驗、氣體腐蝕試驗等，綜合環(huán)境試驗主要包括溫度氣壓綜合試驗、溫度振動綜合試驗、溫度濕度振動綜合試驗、溫度氣壓濕度綜合試驗等。
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是什么影響高低溫交變濕熱試驗箱溫度均勻性
在高低溫交變濕熱試驗箱環(huán)境試驗中，如果溫度均勻性超過允許偏差范圍，則試驗獲得的數(shù)據(jù)不可靠，試驗數(shù)據(jù)不能作為材料或產(chǎn)品高低溫試驗的極限耐久性。高低溫交變濕熱試驗箱是溫濕度環(huán)境試驗的主要設(shè)備。主要進行高、低溫、濕度測試，評估產(chǎn)品的耐溫濕性能，以確保我們的產(chǎn)品在任何環(huán)境條件下都能正常運行。
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IC芯片等產(chǎn)品高溫測試失效原因分析
該產(chǎn)品的高溫失效問題，與COB各材料都有著密切的關(guān)系: PCB、IC、邦定線、黑膠。但最主要的原因是在IC質(zhì)量有缺陷的前提下，由于黑膠、邦定線、PCB各部分的熱膨脹系數(shù)(CTE)，在高溫條件下，黑膠可能拉動邦定線，導致接觸不良使得IC功能喪失。
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半導體高溫儲存試驗測試標準
國際標準分類中，半導體高溫儲存試驗涉及到半導體分立器件。在中國標準分類中，半導體高溫儲存試驗涉及到半導體分立器件綜合、電力半導體器件、部件。國際電工委員會，關(guān)于半導體 高溫儲存試驗的標準
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LED燈溫度循環(huán)試驗測試方法
溫度循環(huán)試驗應(yīng)按照 GB/T 2423.22-2012 的試驗 Nb: “規(guī)定變化速率的溫度變化”和下述規(guī)定 進行。 試驗應(yīng)在滿足 GB/T 2424.5—2006 要求的試驗箱內(nèi)進行。試驗溫度見表 1，溫度容差為士2 K。
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